IGBT的主要參數(shù)：集電極電流ICM：表征IGBT的電流容量，分為直流條件下的IC和1ms脈沖條件下的ICP。集電極-發(fā)射極電壓UCES：表征IGBT集電極-發(fā)射極的耐壓能力。目前IGBT耐壓等級(jí)有600V、1000V、1200V、1400V、1700V、3300V。柵極-發(fā)射極擊穿電壓UGEM：表征IGBT柵極-發(fā)射極之間能承受的電壓，其值一般為±20V。柵極-發(fā)射極開啟電壓UGE（th）：指IGBT器件在一定的集電極-發(fā)射極電壓UCE下，流過一定的集電極電流IC時(shí)的最小開柵電壓。當(dāng)柵源電壓等于開啟電壓UGE（th）時(shí)，IGBT開始導(dǎo)通。輸入電容cIES：指IGBT在一定的集電極-發(fā)射極電壓UCE和柵極-發(fā)射極電壓UGE=0下，柵極-發(fā)射極之間的電容，表征柵極驅(qū)動(dòng)瞬態(tài)電流特征。

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