產(chǎn)品詳情
一般來(lái)說(shuō)，互連材料淀積在硅片表面，然后有選擇性地去除它哈默納科顯影精密諧波FHA-40C-100-E250-BC，就形成了由光刻技術(shù)定義的電路圖形。這種有選擇性地去除材料的工藝過(guò)程，叫做刻蝕，在顯影檢查完后進(jìn)行，刻蝕工藝的正確進(jìn)行非常關(guān)鍵，否則芯片將不能工作。更重要的是，一旦材料被刻蝕去掉，在刻蝕過(guò)程中所犯的錯(cuò)誤將難以糾正。刻哈默納科顯影精密諧波FHA-40C-100-E250-BC蝕的要求取決于要制作的特征圖形的類型，如合金復(fù)合層、多晶硅柵、隔離硅槽或介質(zhì)通孔。
光刻包括兩種基本的工藝類型：負(fù)性光刻和正性光刻。負(fù)性光刻把哈默納科顯影精密諧波FHA-40C-100-E250-BC與掩模版上圖形相反的圖形復(fù)制到硅片表面。正性光刻把與掩模版上相同的圖形復(fù)制到硅片上。這兩種基本工藝的主要區(qū)別在于所用光刻膠的種類不同。光刻工藝過(guò)程包括8個(gè)基本步驟：氣相成底模、旋轉(zhuǎn)涂膠、軟烘、對(duì)準(zhǔn)和曝光、曝光后烘培、顯影、堅(jiān)膜烘培、顯影檢查。
