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常用的干法等離子體反應器類型包括圓筒式等離子體反應器、平板式反應器、日本HD離子設備諧波CSF-50-160-2UH順流刻蝕系統(tǒng)、三級平面反應器、離子銑、反應離子刻蝕器、高密度等離子體刻蝕機等。
圖2.19所示為由平板反應器構成的平板等離子刻蝕機系統(tǒng)日本HD離子設備諧波CSF-50-160-2UH。反應器有兩個大小和位置對稱的平行金屬板,硅片背面朝下放置于接地的陰極上面,RF信號加在反應器的上電極。由于等離子體電勢高于地電勢,因此這是一種帶能離子進行轟擊的等離子體刻蝕模式。一個刻蝕系統(tǒng)的能力及控制方法對成功加工硅片非常關鍵。
早期濕法腐蝕主要用于硅片刻蝕,現在濕法腐蝕的功能大部分被干法刻蝕代替。目前濕法腐蝕主要用于漂去氧化物、去除殘留物、表層剝離,以及較大特征尺寸的圖形腐蝕。濕法腐蝕設備較為簡單,日本HD離子設備諧波CSF-50-160-2UH通常使用一個液體槽,采用浸泡或噴射的方法批量處理硅片。
濕法腐蝕設備的主要控制參數包括溶液濃度、浸泡時間、腐蝕槽的溫度、溶液槽的攪動、處理硅片的批次等。